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무부하시 트랜스 열 | Q&A (SMPS분야)
SMtechno | 조회 489 |추천 0 | 2011.01.22. 14:16
 
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댓글 25

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무부하시 트랜스 열
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SMtechno 11.01.22. 14:18
이유 있는 열인지 고수님 부탁드립니다. 참고로 가변용100V/10A 구성중입니다.
 
 
위스키 11.01.23. 21:39
현재 입력 전력이 얼마나 됩니까? 그리고 트랜스1차가 직렬/2차 병렬이라면 1차 14Turn/ 2차 15Turn 으로 변경해 보시기 바랍니다. 1차 직렬에 2차 병렬이면 2차 전압이 너무 낮아져 쓸데없이 많은 일을 하게 되며, 정격 출력도 않나오게 됩니다. 그리고 pq3535 *2개로 1kw는 무리입니다.
 
 
SMtechno 11.01.24. 11:46
입력은 PFC사용 400V 입니다. 전력은 와트메터로 30W 정도 소모 됩니다. 감사합니다.
 
 
자운 11.01.24. 12:32
PQ3535정도면 6~700와트 정도가 무난해 보입니다. 코일 사양도 좀더 올리시면 좋겠고요.USTC 전선 심선0.1mm 이하의 것이 쉽게 구해집니다. 동손이 증가하면 온도상승이 빠르지요. 계산상으로 1.2kW 정도가 가능하긴 합니다. 마진이 너무 적어 보입니다. 어떤 원인으로든 코어가 포화되면 상당히 위험해 보입니다.
 
 
SMtechno 11.01.24. 13:09
코일 표면적을 키우란 말씀이신가요. 아님 단면적을 키우시란건가요?
턴 비는 1.6 : 1 이면 좋을까여!
 
자운 11.01.24. 14:07
표면적 이야기 입니다. 단면적은 1차 1㎟이상이면 될것 같고요.
 
 
sbs20 11.01.24. 14:40
파형으로 봐서 트랜스의 1차측에 병렬로 1차 인덕터 리셋용 RC직렬 스노버가 없습니다. 파형을 보면 쉬는 시간이 없지요? 스노버를 삽입해 보세요.
 
 
위스키 11.01.24. 15:41
400V 입력이면 Turn비는 맞습니다.현재 1K부하에 드라이브 펄스폭으로 보아 너무 넓어 보이고, FET 브릿지 출력 전류파형을 측정해야 할 것입니다. 1차 인덕턴스는 1400uH 라고는 하지만 낮은 기준 주파수에서의 측정은 맹점이 있음을 감안해야 하고, 현재 전압 파형은 전류 위상이 앞서고 있을것으로 추측되며, 주변회로가 없는 상태에서 진단에는 한계가 있고, 집중 확인할 부분은 트랜스가 될 것으로 보입니다.
 
 
자운 11.01.24. 16:55
무부하 상태에 가까우니 파형이 넓게 나오는건 이해가 갑니다. 좀더 부하를 걸면 게이트 파형과 가까워 지죠. 풀 브릿지에서 코일 리셋트는 안해도 되고 편자방지용으로 C를 1차 코일에 직렬로 넣는것이 안전합니다. 2차 다이오드 양단에 스너버를 달아주시는게 좋고요.(전압이 높으니), 트랜스를 적절히 만들면 괜찮을것 같습니다. 무부하라도 스위칭 손실, 기타 손실들 때문에 기본적인 발열은 있습니다만 전체적인 구조나 비열, 통풍상태 등을 따져보지 않아서 적절한지 모르겠네요.
 
 
SMtechno 11.01.24. 19:16
현재 1차 C는 넣은상태입니다. 출력다이오드의 스노버는 없읍니다. 현재는 아무런 방열은 안한상태입니다. 기준 주파수를 올릴경우 현재 79KHz정도 인데 140KHz까지 는 어떨런지요?
 
 
위스키 11.01.24. 20:45
주파수를 올리려면 현재의 드라이버 감당 능력부터 확인이 필요하며, 예상컨데 현재보다 더 나빠질 것이라고 추측됩니다. 한번 확인은 하시고, 조금 내려서도 결과를 보세요
 
 
SMtechno 11.01.24. 21:25
드라이버는 200KHz 정도의 포토커플러임니다. HCPL-3180
 
 
위스키 11.01.25. 22:14
HCPL-3180 데이터만으로 보았을때 , " vds 0v에서" ciss 2000p정도의 fet을 사용할 경우 100khz이상은 부담이 될것으로 보입니다.
 
 
SMtechno 11.01.25. 12:19
감사합니다.
 
 
Texan 11.01.26. 09:07
계산치에서는 core loss가 얼마정도 됩니까? 그리고, 컨버터를 상온에서 동작시켜 측정한 온도입니까? 아님, thermal chamber에서 주변온도를 올린 상태에서 측정한 것입니까? 마지막으로, 최대부하, 최대 주변온도에서 온도 상승의 목표치는 얼마입니까?
 
 
SMtechno 11.01.26. 10:15
죄송합니다. 계산 할 줄을 모릅니다. 상온측정이고 최대부하에서 80도이내로 하고 싶습니다.
 
 
위스키 11.01.26. 13:14
브릿지 출력측 전압은 이미 보았고, 동시에 전류를 봐야 답이나옵니다. 위상이 얼마나 앞섰는지 등등.
 
 
SMtechno 11.01.26. 16:31
현재 출력은 브릿지 방식이 아니고 양파 방식입니다. 회로도 첨부를 해 드려야겠네여..
 
 
SMtechno 11.01.26. 19:02
전류와 전압의 위상이 틀린것은 시리즈 용량에 따라 많이 달라집니까?
 
 
위스키 11.01.27. 00:28
전류 프로브로 측정한 값을 올려보세요 .. 문제가 있나요?
 
 
Texan 11.01.27. 04:54
트랜스포머 1차 전류 파형을 보면, 트랜스포머에 인가되는 전압 비율이 거의 50/50 입니다. 무부하 상태에서 일차측 H-bridge에 있는 FET의 gate 전압이 위에서 보여진 파형처럼 좁은 구간 동안 인가되는데, 트랜스포머 양단에 전압이 50/50 비율로 인가되는 것이 맞나요? 저는 이해가 안되네요. differential probe를 이용해서 각 FET이 지정된 시간 동안 on과 off 되는 지 확인해 보시는 것이 좋을 것 같네요.
 
SMtechno 11.01.27. 12:15
파형을 자세히 보니 저도 이해가 안가네여 좀더 차근히 검토 해야 겠네여. ㄳ 합니다.
 
 
힐라 11.01.27. 08:43
1차단에 있는 Capacitor에 의한 영향으로 FET의 Turn on/off시 상승시간이 길기 때문에 발생하는 열로 생각됩니다. 따라서 무부하 상태에서 max주파수로 가지 못하고 typical 주파수에 머물게 됩니다. 1차 FET주변에 부품을 제거하시고 동작시켜보세요~~
 
 
위스키 11.01.28. 18:41
출력 트랜스에 직렬로 사용한 1uF cap을 병렬로 2개정도 추가하고 발열 또는 입력전력의 변화를 확인하기 바랍니다.
 
 
십중팔구 11.02.22. 13:56
fet 게이트 파형은 문제가 없는 것 같은데.. 메인파형이 데드타임이 없어 그로스되므로 손실이 존재하여 열이 발생되는 것은 아닌지?
 
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